با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس‌های نانومتری، تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزاره‌ها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشم‌گیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصه چکیده کامل
با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس‌های نانومتری، تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزاره‌ها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشم‌گیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصه‌های خروجی بلوک‌های مهم آنالوگ و علی‌الخصوص تقویت‌کننده‌ها می‌شود. در این مقاله به کمک شبیه‌سازی مونت‌کارلو یک مدار تقویت‌کننده هدایت انتقالی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در فناوری 35 نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز استخراج شده است. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حایز اهمیت فراوانی است.
پرونده مقاله
